Methode waarbij in ultrahoogvacuüm grondstoffen als moleculaire bundels aan het substraat worden toegevoerd voor epitaxiale groei. Laagdikte en samenstelling zijn op atomair niveau nauwkeurig te regelen; wordt gebruikt voor onderzoek aan verbindingshalfgeleiders en het maken van kwantumstructuren.
Japanse benaming: MBE(分子線エピタキシー)
“MBE (molecular beam epitaxy)” komt voor in 3 oefenvragen uit 1 onderwerpen, bijv. Epitaxiale groei.
Vakgebied: Epitaxiale groei
Antwoord: B. In ultrahoogvacuüm worden de grondstoffen als moleculaire bundels aan het substraat toegevoerd, waardoor laagdikte en samenstelling op atoomlaagniveau nauwkeurig te regelen zijn
Bij MBE worden in een ultrahoogvacuümapparaat van circa 10⁻⁸ Pa de grondstoffen verhit en als bundel van moleculen (atomen) op het substraat gericht, waarbij het kristal groeit. Met sluiters kunnen de grondstoffen onmiddellijk worden omgeschakeld, en met in-situ waarneming van de groei met RHEED zijn laagdikte en samenstelling per atoomlaag te regelen. De groeisnelheid is met circa 1 µm per uur laag en de massaproductiviteit blijft achter bij MOCVD, maar MBE wordt gebruikt voor onderzoek en ontwikkeling, hoogwaardige HEMT's en kwantumcomponenten.
Antwoord: B. RHEED (reflectie-hoogenergetische elektronendiffractie)
RHEED is een techniek waarbij een elektronenbundel van 10 tot 30 keV onder een scherpe hoek van circa 1 tot 3° op het groeiende oppervlak valt en het diffractiepatroon op een fluorescentiescherm wordt waargenomen. Hieruit zijn de vlakheid en de reconstructiestructuur van het oppervlak af te lezen. Bij laag-voor-laag-groei van één atoomlaag verandert de ruwheid van het oppervlak periodiek en oscilleert de intensiteit, zodat het aantal gegroeide lagen in situ kan worden geteld. Deze waarneming is alleen mogelijk in ultrahoogvacuüm-MBE, waar de elektronenbundel niet door gasmoleculen wordt verstrooid.
Bij MBE worden in een ultrahoogvacuümapparaat van circa 10⁻⁸ Pa de grondstoffen verhit en als bundel van moleculen (atomen) op het substraat gericht, waarbij het kristal groeit.
Welke uitspraak over de kenmerken van MBE (moleculaire bund…Deze waarneming is alleen mogelijk in ultrahoogvacuüm-MBE, waar de elektronenbundel niet door gasmoleculen wordt verstrooid.
Welke techniek in MBE laat een elektronenbundel onder een o…Het beheersen van dunne lagen en abrupte grensvlakken gaat met MOCVD en MBE beter.
Welke methode laat een kristal op een substraat neerslaan e…MOCVD (metaalorganische dampafzetting) HEMT (high electron mobility transistor) GaAs (galliumarsenide) Contact 4H-SiC Autodoping Epitaxiale groei Gespannen silicium (strained silicon) Heteroepitaxie HVPE (hydride-dampfase-epitaxie)