Dampfasegroeimethode met galliumchloride, ontstaan uit de reactie van waterstofchloride met gallium, en ammoniak. De groeisnelheid is zeer hoog; wordt gebruikt om dikke kristallen te laten groeien voor zelfdragende GaN-substraten.
Japanse benaming: HVPE(ハイドライド気相成長)
“HVPE (hydride-dampfase-epitaxie)” komt voor in 1 oefenvragen uit 1 onderwerpen, bijv. Epitaxiale groei.
Vakgebied: Epitaxiale groei
Antwoord: B. HVPE (hydridedampfase-epitaxie)
Bij HVPE wordt waterstofchloride over gallium van hoge temperatuur geleid om galliumchloride (GaCl) te vormen, dat met ammoniak reageert, waarbij GaN groeit. De groeisnelheid is met enkele tientallen tot enkele honderden µm per uur enkele tientallen keren zo hoog als bij MOCVD. Op bijvoorbeeld saffier groeit een dikke GaN-laag van enkele honderden µm tot mm, die na verwijdering van het substraat een vrijstaand substraat wordt; een voordeel is ook dat dislocaties afnemen naarmate de laag dikker groeit. GaN-substraten worden gebruikt voor lasers en verticale vermogenscomponenten.
Bij HVPE wordt waterstofchloride over gallium van hoge temperatuur geleid om galliumchloride (GaCl) te vormen, dat met ammoniak reageert, waarbij GaN groeit.
Welke methode wordt gebruikt om een dikke GaN-laag snel te …GaN (galliumnitride) MOCVD (metaalorganische dampafzetting) Numerieke apertuur (NA) 4H-SiC Autodoping Epitaxiale groei Gespannen silicium (strained silicon) Heteroepitaxie Kritische laagdikte Laterale epitaxiale overgroei (ELO)