Transistor die als kanaal een tweedimensionaal elektronengas met hoge mobiliteit gebruikt dat ontstaat aan het grensvlak van een heterojunctie. Wordt gebruikt voor hoge frequenties en hoog vermogen.
Japanse benaming: HEMT(高電子移動度トランジスタ)
“HEMT (high electron mobility transistor)” komt voor in 16 oefenvragen uit 6 onderwerpen, bijv. Verbindingshalfgeleiders, Vermogenshalfgeleiders, Epitaxiale groei.
Vakgebied: Verbindingshalfgeleiders
Antwoord: C. Een tweedimensionaal elektronengas (2DEG) dat door polarisatie aan het AlGaN/GaN-grensvlak ontstaat
In een GaN-HEMT ontstaat aan het grensvlak van AlGaN en GaN door het verschil tussen spontane en piëzo-elektrische polarisatie een tweedimensionaal elektronengas (2DEG) met een hoge dichtheid van ca. 10¹³ cm⁻². Omdat elektronen zonder dotering ontstaan, is er weinig verstrooiing en is de mobiliteit hoog, ca. 2000 cm²/V·s, zodat een lage aan-weerstand en snel schakelen samengaan. Omdat het 2DEG ook bij 0 V gatespanning aanwezig is, is de basisstructuur van het normally-on-type.
Antwoord: A. Hoogfrequente versterkers met weinig ruis, zoals in satellietontvangers en basisstations voor mobiele telefonie
Een HEMT gebruikt het tweedimensionale elektronengas aan het grensvlak van een heterojunctie als kanaal. Doordat de onzuiverheden die elektronen leveren gescheiden zijn van de laag waarin de elektronen bewegen (modulatiedotering), is er weinig verstrooiing aan onzuiverheden en is ruisarme versterking bij hoge frequenties mogelijk. De HEMT werd in 1980 uitgevonden door Takashi Mimura van Fujitsu. GaAs-HEMT's worden gebruikt in satellietontvangers en radiotelescopen, GaN-HEMT's in vermogensversterkers van basisstations voor mobiele telefonie en radars.
In een GaN-HEMT ontstaat aan het grensvlak van AlGaN en GaN door het verschil tussen spontane en piëzo-elektrische polarisatie een tweedimensionaal elektronengas (2DEG) met een hoge dichtheid van ca.
Wat is het juiste kanaal waardoor de stroom vloeit in een G…Een HEMT gebruikt het tweedimensionale elektronengas aan het grensvlak van een heterojunctie als kanaal.
Wat is een typische toepassing van de HEMT (high electron m…Bij GaN-HEMT's met hoog vermogen concentreert de warmte zich nabij de gate, en bij stijgende temperatuur nemen prestaties en levensduur af.
Wat is een van de belangrijkste redenen om SiC als substraa…In een cascodeschakeling wordt een laagspannings-silicium-MOSFET (circa 30 V) in serie geplaatst aan de source-zijde van de GaN-HEMT, en de gate van de HEMT wordt verbonden met de source van de MOSFET.
Met welke schakeling wordt een normally-on GaN-HEMT in seri…GaN-HEMT's blinken vooral uit in zeer snel schakelen in de 650 V-klasse en lager, en worden in gebruik genomen in boordladers en DC-DC-converters waarbij de frequentie omhoog moet om componenten te verkleinen.
Wat is de meest geschikte aanpak voor de keuze tussen IGBT,…GaN (galliumnitride) GaAs (galliumarsenide) Tweedimensionaal elektronengas (2DEG) Normally-off Bandgap (bandkloof) SiC (siliciumcarbide) InP (indiumfosfide) Via HBT (heterojunctie-bipolaire transistor) Mobiliteit