Nederlands
Menu

Laagafzetting (CVD, PVD)

Welk voordeel hebben lagen van thermische CVD bij hoge temperatuur gewoonlijk ten opzichte van plasma-CVD-lagen van hetzelfde materiaal?

  1. ADe depositietemperatuur is laag
  2. BDe depositiesnelheid is altijd hoger
  3. CDe laag is dicht en bevat weinig onzuiverheden zoals waterstof
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. De laag is dicht en bevat weinig onzuiverheden zoals waterstof

Bij thermische CVD bij hoge temperatuur reageert de bron voldoende, ontstaat een dichte laag, bevat de laag weinig onzuiverheden zoals waterstof uit de bron en komt de samenstelling dicht bij de stoichiometrische. Het waterstofgehalte van LPCVD-nitride is bijvoorbeeld enkele procenten of minder, terwijl plasma-CVD-nitride circa 20 % kan bevatten. Plasma-CVD kan bij lage temperatuur afzetten, maar de laag is ruwer en de etssnelheid is hoger; welke methode wordt gebruikt, hangt af van de temperatuurbeperkingen van het proces en de vereiste laagkwaliteit.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Laagafzetting (CVD, PVD)

  1. Welke richtwaarde voor de laagdikte die in één ALD-cyclus wordt afgezet is juist?
  2. Welk voordeel heeft vacuümopdampen waarbij het materiaal met een elektronenbundel wordt verhit?
  3. Welke techniek laat een laag alleen op bepaalde plaatsen groeien door gebruik te maken van verschillen in oppervlaktemateriaal?
  4. Welke richtwaarde voor de dikte van dunne lagen in de halfgeleiderproductie is het meest passend?
  5. Wat is de juiste basismanier van opbouw in het productieproces van LSI?

Vergelijkingen bij dit onderwerp