Frequentie waarbij de stroomversterking in gemeenschappelijke-emitterschakeling is gedaald tot 1, genoteerd als fT. Een gangbare maat voor de hoogfrequentprestaties van een transistor.
Japanse benaming: トランジション周波数
“Transitiefrequentie” komt voor in 1 oefenvragen uit 1 onderwerpen, bijv. Bipolaire transistor.
Vakgebied: Bipolaire transistor
Antwoord: B. De frequentie waarbij de stroomversterking in gemeenschappelijke-emitterschakeling is gedaald tot 1
De stroomversterking daalt bij hogere frequenties, hoofdzakelijk door de tijd die nodig is om de basis te passeren en door het laden en ontladen van de overgangscapaciteiten. De frequentie waarbij de stroomversterking in gemeenschappelijke-emitterschakeling 1 is, is de transitiefrequentie fT, bij benadering fT ≈ gm/(2π(Cπ + Cμ)). Het is een maat voor de hoogfrequentprestaties: enkele honderden MHz bij gewone kleinsignaaltransistoren en meer dan 300 GHz bij SiGe-HBT's. Ook de maximale oscillatiefrequentie fmax, waarbij de vermogensversterking 1 is, wordt gebruikt.
De frequentie waarbij de stroomversterking in gemeenschappelijke-emitterschakeling 1 is, is de transitiefrequentie fT, bij benadering fT ≈ gm/(2π(Cπ + Cμ)).
Welke uitspraak over de transitiefrequentie fT van een bipo…SiGe (silicium-germanium) HBT (heterojunctie-bipolaire transistor) Actief gebied Afsnijgebied (cut-off) Common-emitterschakeling Darlingtonschakeling Early-effect Emittervolger (emitter follower) Miller-effect Overnamevervorming (crossover distortion)