Wat is de belangrijkste reden om bij een NPN-transistor de onzuiverheidsconcentratie van de emitter hoger te maken dan die van de basis?

Antwoord: A. Om de emitterinjectie-efficiëntie en daarmee de stroomversterking te verhogen

Bij een hoog gedoteerde emitter bestaat het grootste deel van de stroom door de basis-emitterovergang uit elektronen van de emitter naar de basis (hoge injectie-efficiëntie). De stroom van gaten die omgekeerd van de basis naar de emitter vloeit bereikt de collector niet en wordt alleen basisstroom, zodat de stroomversterking toeneemt als die klein wordt gemaakt. Een te hoge dotering van de emitter vermindert het effect door bandgapversmalling; bij HBT's wordt dit opgelost door voor de emitter een materiaal met een grotere bandgap te gebruiken.