Nederlands
Menu

Bipolaire transistor

Welke uitspraak over de transitiefrequentie fT van een bipolaire transistor is juist?

  1. ADe frequentie van de voeding
  2. BDe frequentie waarbij de stroomversterking in gemeenschappelijke-emitterschakeling is gedaald tot 1
  3. CDe frequentie waarbij de schakeling oscilleert
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. De frequentie waarbij de stroomversterking in gemeenschappelijke-emitterschakeling is gedaald tot 1

De stroomversterking daalt bij hogere frequenties, hoofdzakelijk door de tijd die nodig is om de basis te passeren en door het laden en ontladen van de overgangscapaciteiten. De frequentie waarbij de stroomversterking in gemeenschappelijke-emitterschakeling 1 is, is de transitiefrequentie fT, bij benadering fT ≈ gm/(2π(Cπ + Cμ)). Het is een maat voor de hoogfrequentprestaties: enkele honderden MHz bij gewone kleinsignaaltransistoren en meer dan 300 GHz bij SiGe-HBT's. Ook de maximale oscillatiefrequentie fmax, waarbij de vermogensversterking 1 is, wordt gebruikt.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Bipolaire transistor

  1. Welke uitspraak over thermal runaway (thermische doorloop) van een bipolaire transistor is juist?
  2. Welke uitspraak over de SiGe-HBT (heterojunctie-bipolaire transistor) is juist?
  3. Welke richtwaarde voor de collector-emitterspanning van een bipolaire siliciumtransistor in het verzadigingsgebied is juist?
  4. Welke schakeling gebruikt twee transistoren met gelijke eigenschappen en laat door de ene transistor dezelfde stroom vloeien als die welke door de andere is gestuurd?
  5. Welke uitspraak over de werking van een differentieel paar, waarin de emitters van twee transistoren op een gemeenschappelijke stroombron zijn aangesloten, is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp