Nederlands
Menu

Bipolaire transistor

Welke uitspraak over de SiGe-HBT (heterojunctie-bipolaire transistor) is juist?

  1. AEen transistor met een metalen basis
  2. BDoor de heterojunctie met SiGe in de basis kan hij gemakkelijk tot hoge frequenties werken
  3. CDe stroomversterking ligt vast op 1 of lager
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Door de heterojunctie met SiGe in de basis kan hij gemakkelijk tot hoge frequenties werken

Een SiGe-HBT is een heterojunctie-bipolaire transistor met SiGe, met een kleine bandgap, in de basis. Het verschil in bandgap tussen emitter en basis onderdrukt omgekeerde injectie van gaten, zodat de basis hoger gedoteerd en dunner kan worden met behoud van de injectie-efficiëntie, en door een gradiënt in de Ge-concentratie kan in de basis een veld worden opgewekt dat de elektronen versnelt. Met een fT van enkele honderden GHz en doordat hij in een siliciumproces kan worden gemaakt, wordt hij gebruikt in hoogfrequentschakelingen van smartphones, optische communicatie en radar voor voertuigen.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Bipolaire transistor

  1. Welke richtwaarde voor de collector-emitterspanning van een bipolaire siliciumtransistor in het verzadigingsgebied is juist?
  2. Welke schakeling gebruikt twee transistoren met gelijke eigenschappen en laat door de ene transistor dezelfde stroom vloeien als die welke door de andere is gestuurd?
  3. Welke uitspraak over de werking van een differentieel paar, waarin de emitters van twee transistoren op een gemeenschappelijke stroombron zijn aangesloten, is juist?
  4. Hoeveel bedraagt de steilheid gm van een bipolaire transistor die bij een collectorstroom van 1 mA werkt ongeveer? (kamertemperatuur, thermische spanning VT ≈ 26 mV)
  5. Wat is het belangrijkste gebruik van een optocoupler, waarin een led en een fototransistor in één package zijn gecombineerd?

Vergelijkingen bij dit onderwerp