Nederlands
Menu

Bipolaire transistor

Welke combinatie van een techniek voor het integreren van bipolaire transistoren en CMOS op dezelfde chip en het doel daarvan is juist?

  1. ASOI: het substraat met een isolatiefilm scheiden
  2. BBiCMOS: de hoge integratie en het lage vermogen van CMOS combineren met de snelheid en aandrijfkracht van bipolair
  3. CFinFET: het kanaal driedimensionaal maken
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. BiCMOS: de hoge integratie en het lage vermogen van CMOS combineren met de snelheid en aandrijfkracht van bipolair

BiCMOS is een techniek waarbij voor logica en geheugen CMOS met hoge integratie en laag vermogen wordt gebruikt en voor snelle schakelingen, het aansturen van grote belastingen en analoge en hoogfrequentschakelingen bipolair. In de jaren negentig werd het ook voor CPU's en SRAM gebruikt, maar bij dalende spanningen werd de VBE van bipolair (circa 0,7 V) een belemmering en wordt het niet meer voor digitale toepassingen gebruikt. Tegenwoordig wordt SiGe-BiCMOS, gecombineerd met SiGe-HBT's, gebruikt in communicatie-IC's en radar voor voertuigen.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Bipolaire transistor

  1. Welke combinatie van de drie aansluitingen van een bipolaire transistor is juist?
  2. In welke richting wijst de pijl bij de emitter in het schakelsymbool van een NPN-transistor?
  3. Welk verband tussen emitterstroom IE, basisstroom IB en collectorstroom IC van een bipolaire transistor is juist?
  4. Hoeveel bedraagt de collectorstroom in het actieve gebied ongeveer wanneer een basisstroom van 10 μA vloeit door een transistor met gelijkstroomversterking hFE = 100?
  5. Welke toestand van de overgangen is juist wanneer een bipolaire transistor in het afsnijdgebied (uit) is?

Vergelijkingen bij dit onderwerp