Nederlands
Menu

Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)

Welke uitspraak over de SOI-structuur (Silicon On Insulator) is juist?

  1. AEen transistorstructuur zonder gate-isolator
  2. BEen structuur waarbij transistoren worden gemaakt in een dunne siliciumlaag op een ingebed oxide
  3. CEen structuur van twee op elkaar gestapelde chips
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Een structuur waarbij transistoren worden gemaakt in een dunne siliciumlaag op een ingebed oxide

SOI is een structuur waarbij transistoren worden gemaakt in een dunne siliciumlaag boven een oxidelaag (BOX-laag) die in het siliciumsubstraat is ingebed. Doordat de componenten van het substraat zijn geïsoleerd, zijn junctiecapaciteit en lekstroom klein en treedt geen latch-up op. De wafer wordt gemaakt met onder meer de smart-cutmethode, waarbij wafers met oxidefilm op elkaar worden gebonden en een van beide wordt gedund. SOI wordt veel gebruikt voor hoogfrequentschakelaars (RF-SOI) en voor FD-SOI voor laag vermogen.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)

  1. Welke uitspraak over DIBL (Drain Induced Barrier Lowering) is juist?
  2. Welke uitspraak over de manier om de effectieve kanaalbreedte van een FinFET in te stellen is juist?
  3. Welke uitspraak over de kenmerken van de CFET (Complementary FET), die als structuur na GAA wordt onderzocht, is juist?
  4. Wat is een van de belangrijkste middelen om bij high-k/metal-gate-transistoren de drempelspanning in te stellen?
  5. Welke uitspraak over het gate-last-proces (replacement metal gate) is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp