Français
Menu

Qu'est-ce que FD-SOI (SOI totalement déplété) ?

Technologie où les transistors sont formés dans une couche de silicium très mince au-dessus d'un oxyde enterré, le canal étant totalement déplété. Le canal peut être peu dopé, et la tension de seuil s'ajuste facilement par polarisation du substrat.

Nom japonais: FD-SOI(完全空乏型SOI)

« FD-SOI (SOI totalement déplété) » apparaît dans 3 questions d'entraînement réparties sur 1 thèmes, dont Transistors avancés (FinFET et GAA).

Domaine: Transistors avancés (FinFET et GAA)

S'entraîner : questions sur FD-SOI (SOI totalement déplété)

Quel est l'avantage du transistor SOI totalement déplété (FD-SOI) ?

  1. ALa couche de silicium peut être épaisse et fortement dopée
  2. BL'électrode de grille devient inutile
  3. CLe canal peut être peu dopé, ce qui limite la dispersion de la tension de seuil, et la polarisation du substrat permet d'ajuster facilement le seuil
Afficher la réponse et l'explication

Réponse : C. Le canal peut être peu dopé, ce qui limite la dispersion de la tension de seuil, et la polarisation du substrat permet d'ajuster facilement le seuil

En FD-SOI, toute la couche de silicium extrêmement mince, d'environ 5 à 7 nm, est déplétée ; les effets de canal court sont limités sans doper le canal et la dispersion due aux fluctuations aléatoires de dopants diminue. En outre, une tension appliquée côté substrat à travers le mince oxyde enterré (environ 20 nm) permet de modifier dynamiquement le seuil ; le FD-SOI est utilisé pour l'IoT basse tension et basse consommation, l'automobile et la RF.

« FD-SOI (SOI totalement déplété) » dans les explications

Questions mentionnant « FD-SOI (SOI totalement déplété) » (3)

  1. Quel est l'avantage du transistor SOI totalement déplété (FD-SOI) ?
  2. Quelle est la définition de la structure SOI (Silicon On Insulator) ?
  3. Comment appelle-t-on, dans les transistors miniaturisés, la dispersion de la tension de seuil due aux fluctuations statistiques du nombre et de la position des atomes dopants dans le canal ?

Comparatifs incluant ce terme

Termes associés

Latch-up Tension de seuil FinFET CFET (FET complémentaire) DTCO (co-optimisation conception-technologie) EOT (épaisseur d'oxyde équivalente) Fluctuation aléatoire des dopants (RDF) GAA (grille enrobante, gate-all-around) Gate-last (grille métallique de remplacement) High-k/grille métallique

Retour au glossaire