Nederlands
Menu

Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)

Welk voordeel van een volledig uitgeputte SOI-transistor (FD-SOI) is juist?

  1. ADe siliciumlaag kan dik zijn en er kunnen veel onzuiverheden in worden gebracht
  2. BDe gate-elektrode is niet meer nodig
  3. CHet kanaal kan weinig onzuiverheden bevatten, de spreiding van de drempelspanning is kleiner en de drempelspanning is gemakkelijk met de substraatbias in te stellen
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Het kanaal kan weinig onzuiverheden bevatten, de spreiding van de drempelspanning is kleiner en de drempelspanning is gemakkelijk met de substraatbias in te stellen

Bij FD-SOI wordt de gehele extreem dunne siliciumlaag van circa 5 tot 7 nm dik uitgeput, zodat korte-kanaaleffecten ook zonder onzuiverheden in het kanaal worden onderdrukt en de spreiding door random dopant fluctuation klein is. Wordt via de dunne ingebedde oxidelaag (circa 20 nm) vanaf de substraatzijde een spanning aangelegd, dan kan de drempelspanning dynamisch worden gewijzigd. Het wordt gebruikt voor IoT, automotive en RF met lage spanning en laag vermogen.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)

  1. Hoe heet het verschijnsel dat bij kleine transistoren de drempelspanning spreidt door statistische variatie in het aantal en de positie van onzuiverheidsatomen in het kanaal?
  2. Welk ontwerpvoordeel van nanosheet-GAA-transistoren ten opzichte van FinFET's is juist?
  3. Welke techniek, die zijwandspacers gebruikt om patronen te maken die fijner zijn dan de limiet van lithografie, wordt gebruikt om de smalle vinnen van FinFET's te maken?
  4. Waarom wordt bij de productie van nanosheet-GAA-transistoren uit de laag van afwisselend gestapeld Si en SiGe alleen de SiGe-laag selectief verwijderd?
  5. Welke oorzaak van zelfopwarming, die vaak een probleem is bij FinFET's en SOI-transistoren, is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp