Hoe heet het verschijnsel dat bij kleine transistoren de drempelspanning spreidt door statistische variatie in het aantal en de positie van onzuiverheidsatomen in het kanaal?

Antwoord: A. Random dopant fluctuation (RDF)

Naarmate transistoren kleiner worden, bevat het kanaal slechts enkele tientallen tot honderden onzuiverheidsatomen, en door toevallige variatie in hun aantal en plaatsing spreidt de drempelspanning met wel enkele tientallen mV. De spreiding is ongeveer evenredig met '1/√(gateoppervlak)' (wet van Pelgrom) en vormt vooral een probleem in schakelingen zoals SRAM, waarin veel elementen met minimale afmetingen worden gebruikt. FinFET's en FD-SOI, waarvan het kanaal ongedoteerd kan zijn, hebben ook op dit punt een voordeel.