Was ist FD-SOI (vollständig verarmtes SOI)?

Transistoren werden in einer sehr dünnen Siliziumschicht auf vergrabenem Oxid gebaut, sodass der Kanal vollständig verarmt ist. Der Kanal kann schwach dotiert sein, und über Body-Bias lässt sich die Einsatzspannung leicht einstellen.

Japanische Bezeichnung: FD-SOI(完全空乏型SOI)

Fachgebiet: Fortschrittliche Transistoren (FinFET und GAA)