Wat is Random dopant fluctuation (RDF)?

Verschijnsel waarbij in kleine transistors de drempelspanning varieert door statistische spreiding in het aantal en de positie van onzuiverheidsatomen in het kanaal. Wordt onderdrukt in FinFET's en FD-SOI, waar het kanaal laag gedoteerd kan blijven.

Japanse benaming: ランダムドーパントゆらぎ(RDF)

“Random dopant fluctuation (RDF)” komt voor in 1 oefenvragen uit 1 onderwerpen, bijv. Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA).

Vakgebied: Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)

Nu oefenen: vragen over Random dopant fluctuation (RDF)

Welk voordeel van een volledig uitgeputte SOI-transistor (FD-SOI) is juist?

  1. ADe siliciumlaag kan dik zijn en er kunnen veel onzuiverheden in worden gebracht
  2. BDe gate-elektrode is niet meer nodig
  3. CHet kanaal kan weinig onzuiverheden bevatten, de spreiding van de drempelspanning is kleiner en de drempelspanning is gemakkelijk met de substraatbias in te stellen
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Het kanaal kan weinig onzuiverheden bevatten, de spreiding van de drempelspanning is kleiner en de drempelspanning is gemakkelijk met de substraatbias in te stellen

Bij FD-SOI wordt de gehele extreem dunne siliciumlaag van circa 5 tot 7 nm dik uitgeput, zodat korte-kanaaleffecten ook zonder onzuiverheden in het kanaal worden onderdrukt en de spreiding door random dopant fluctuation klein is. Wordt via de dunne ingebedde oxidelaag (circa 20 nm) vanaf de substraatzijde een spanning aangelegd, dan kan de drempelspanning dynamisch worden gewijzigd. Het wordt gebruikt voor IoT, automotive en RF met lage spanning en laag vermogen.

“Random dopant fluctuation (RDF)” in de toelichting

Vragen met “Random dopant fluctuation (RDF)” (1)

  1. Welk voordeel van een volledig uitgeputte SOI-transistor (FD-SOI) is juist?

Verwante termen

FD-SOI (fully depleted SOI) Via Drempelspanning (threshold voltage) CFET (complementaire FET) DTCO (design-technology co-optimization) EOT (equivalente oxidedikte) FinFET GAA (gate-all-around) Gate-last (replacement metal gate) High-k/metal gate

Naar de woordenlijst