Nederlands
Menu

Bipolaire transistor

Welke formule geeft de gelijkstroomversterking hFE van een bipolaire transistor? (IC: collectorstroom, IB: basisstroom, IE: emitterstroom)

  1. AIB / IC
  2. BIC / IB
  3. CIE / IC
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. IC / IB

hFE is de gelijkstroomversterking in gemeenschappelijke-emitterschakeling, hFE = IC/IB. Bij kleinsignaaltransistoren is dat gewoonlijk enkele tientallen tot honderden en bij vermogenstransistoren enkele tientallen. Ook bij hetzelfde typenummer is de spreiding groot (bijvoorbeeld ingedeeld in klassen zoals 100 tot 400) en hFE verandert met temperatuur en stroom; schakelingen worden daarom ontworpen om te werken zonder op de waarde van hFE te steunen. De stroomversterking α in gemeenschappelijke-basisschakeling is IC/IE, een waarde iets kleiner dan 1.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Bipolaire transistor

  1. Wat is de meest passende reden om de basis van een bipolaire transistor dun te maken?
  2. Welk werkgebied van een bipolaire transistor komt overeen met de aan-toestand wanneer hij als schakelaar wordt gebruikt?
  3. Hoe is de fase van de uitgangsspanning van een gemeenschappelijke-emitterversterker ten opzichte van de ingangsspanning?
  4. Wat is de belangrijkste reden om bij een NPN-transistor de onzuiverheidsconcentratie van de emitter hoger te maken dan die van de basis?
  5. Hoeveel bedraagt de stroomversterking β in gemeenschappelijke-emitterschakeling ongeveer voor een bipolaire transistor met stroomversterking in gemeenschappelijke-basisschakeling α = 0,99?

Vergelijkingen bij dit onderwerp