Nederlands
Menu

Bipolaire transistor

Welke voorwaarde vergroot de kleinsignaalingangsweerstand (hie) van een gemeenschappelijke-emitterversterker?

  1. ADe collectorstroom verkleinen of een transistor met een grote stroomversterking gebruiken
  2. BDe collectorstroom vergroten
  3. CDe temperatuur verlagen
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. De collectorstroom verkleinen of een transistor met een grote stroomversterking gebruiken

De ingangsweerstand in gemeenschappelijke-emitterschakeling is hie ≈ hFE × VT/IC = hFE/gm en wordt groter bij een kleinere collectorstroom of een transistor met grote hFE. Bij hFE = 100 en IC = 1 mA is dat bijvoorbeeld circa 2,6 kΩ. Bij minder stroom daalt ook gm en neemt de versterking af, zodat het werkpunt wordt gekozen op grond van een afweging tussen ingangsweerstand en versterking. Is een nog hogere ingangsweerstand gewenst, dan worden een emittervolger, een Darlington of terugkoppeling met een emitterweerstand gebruikt.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Bipolaire transistor

  1. Welke uitspraak over het voordeel van een actieve belasting, waarbij een als stroombron werkende transistor de belastingsweerstand van een versterker vervangt, is juist?
  2. Wat is de belangrijkste reden dat het uitschakelen van een schakeltransistor uit diepe verzadiging enige tijd duurt?
  3. Welke serie van logica-IC's wordt met bipolaire transistoren opgebouwd?
  4. Welke combinatie van een techniek voor het integreren van bipolaire transistoren en CMOS op dezelfde chip en het doel daarvan is juist?
  5. Welke combinatie van de drie aansluitingen van een bipolaire transistor is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp