Nederlands
Menu

Bipolaire transistor

Hoeveel bedraagt de collectorstroom in het actieve gebied ongeveer wanneer een basisstroom van 10 μA vloeit door een transistor met gelijkstroomversterking hFE = 100?

  1. A100 μA
  2. B1 mA
  3. C10 mA
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. 1 mA

In het actieve gebied is IC = hFE × IB, dus 100 × 10 µA = 1.000 µA = 1 mA. Is de stroom die de schakeling aan de collectorzijde toelaat (bijvoorbeeld VCC ÷ RC) echter kleiner dan dit, dan raakt de transistor verzadigd en wordt IC niet hFE maal groter. Bij VCC = 5 V en RC = 10 kΩ kan bijvoorbeeld maximaal 0,5 mA vloeien en raakt de transistor verzadigd. Bij gebruik als versterker wordt het werkpunt gekozen binnen het bereik waar geen verzadiging optreedt.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Bipolaire transistor

  1. Welke toestand van de overgangen is juist wanneer een bipolaire transistor in het afsnijdgebied (uit) is?
  2. Welke richtwaarde voor de basis-emitterspanning VBE van een bipolaire siliciumtransistor in het actieve gebied is juist?
  3. Hoeveel bedraagt het collectorverlies van een transistor die werkt bij een collector-emitterspanning van 5 V en een collectorstroom van 100 mA?
  4. Welke uitspraak over het verschil in sturing tussen een bipolaire transistor en een MOSFET is juist?
  5. Hoeveel bedraagt de grootte van de spanningsversterking van een gemeenschappelijke-emitterversterker ongeveer bij steilheid gm = 40 mS en collectorweerstand RC = 5 kΩ? (de belasting wordt verwaarloosd)

Vergelijkingen bij dit onderwerp