Nederlands
Menu

Bipolaire transistor

Hoe verandert de stroomversterking hFE van een bipolaire siliciumtransistor in het algemeen als de temperatuur stijgt?

  1. AHij neemt toe
  2. BHij neemt af
  3. CHij verandert niet
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Hij neemt toe

De hFE van een siliciumtransistor neemt in het algemeen toe bij stijgende temperatuur, circa 0,5 tot 1% per ℃. Daarnaast daalt VBE met circa −2 mV/℃ en verdubbelt de lekstroom ICBO tussen collector en basis ongeveer per 10 ℃. Doordat deze drie effecten samenkomen, neemt de collectorstroom bij temperatuurstijging toe, zodat het werkpunt wordt gestabiliseerd, bijvoorbeeld met negatieve terugkoppeling via een emitterweerstand. Omgekeerd daalt hFE bij lage temperatuur en moet op onvoldoende aansturing worden gelet.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Bipolaire transistor

  1. Welke voorwaarde vergroot de kleinsignaalingangsweerstand (hie) van een gemeenschappelijke-emitterversterker?
  2. Welke uitspraak over het voordeel van een actieve belasting, waarbij een als stroombron werkende transistor de belastingsweerstand van een versterker vervangt, is juist?
  3. Wat is de belangrijkste reden dat het uitschakelen van een schakeltransistor uit diepe verzadiging enige tijd duurt?
  4. Welke serie van logica-IC's wordt met bipolaire transistoren opgebouwd?
  5. Welke combinatie van een techniek voor het integreren van bipolaire transistoren en CMOS op dezelfde chip en het doel daarvan is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp