Bipolaire transistor

Wat is de belangrijkste reden om in een transistorversterker een stroomgekoppelde biasschakeling met emitterweerstand te gebruiken?

  1. AOm de spanningsversterking te maximaliseren
  2. BOm het werkpunt te stabiliseren tegen variaties door temperatuurverandering en spreiding van hFE
  3. COm de schakeling te laten oscilleren
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Om het werkpunt te stabiliseren tegen variaties door temperatuurverandering en spreiding van hFE

Met een emitterweerstand stijgt bij toenemende collectorstroom de emitterspanning, waardoor VBE daalt en een negatieve terugkoppeling ontstaat die de toename van de stroom beperkt. Wordt de basis met een weerstandsdeler vastgelegd en staat over de emitterweerstand een spanning die ruim groter is dan de variatie van VBE (bijvoorbeeld 1 V of meer), dan is de schakeling minder gevoelig voor temperatuur en spreiding van hFE. Om te voorkomen dat de wisselstroomversterking daalt, wordt vaak een ontkoppelcondensator parallel aan de emitterweerstand geplaatst.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Bipolaire transistor

  1. Hoe heet de gelijkspannings- en gelijkstroomtoestand van de transistor in een versterker wanneer er geen ingangssignaal is?
  2. Welke vervorming treedt gemakkelijk op bij een klasse-B-push-pullversterker waarin NPN- en PNP-transistoren de positieve en negatieve halve perioden verdelen?
  3. Welke uitspraak over de rol van een koppelcondensator tussen de trappen van een versterker is juist?
  4. Hoe verandert de stroomversterking hFE van een bipolaire siliciumtransistor in het algemeen als de temperatuur stijgt?
  5. Welke voorwaarde vergroot de kleinsignaalingangsweerstand (hie) van een gemeenschappelijke-emitterversterker?

Vergelijkingen bij dit onderwerp