電流増幅率(hFE)란?

でんりゅうぞうふくりつ

バイポーラトランジスタのコレクタ電流とベース電流の比(IC/IB)。

일본어 명칭: 電流増幅率(hFE)

電流増幅率(hFE)은(는) 바이폴라 트랜지스터 등 1개 분야의 연습 문제 13개에 나와요.

분야: 바이폴라 트랜지스터

도전해 보기: 電流増幅率(hFE) 관련 문제

바이폴라 트랜지스터의 직류 전류 증폭률 hFE를 나타내는 식은? (IC: 컬렉터 전류, IB: 베이스 전류, IE: 에미터 전류)

AIB / IC
BIC / IB
CIE / IC

정답과 해설 보기

정답: B. IC / IB

hFE는 에미터 접지에서의 직류 전류 증폭률이며 hFE = IC/IB입니다. 소신호용 트랜지스터에서는 수십~수백, 파워 트랜지스터에서는 수십 정도가 일반적입니다. 같은 형번이라도 개체 편차가 크고(예: 100~400처럼 등급으로 분류됨) 온도나 전류에 따라서도 변하므로, 회로는 hFE 값에 의존하지 않고 동작하도록 설계하는 것이 기본입니다. 베이스 접지의 전류 증폭률 α는 IC/IE이며 1보다 약간 작은 값입니다.

실리콘 바이폴라 트랜지스터의 전류 증폭률 hFE는 일반적으로 온도가 오르면 어떻게 되는가?

A증가한다
B감소한다
C변하지 않는다

정답과 해설 보기

정답: A. 증가한다

실리콘 트랜지스터의 hFE는 일반적으로 온도가 오르면 증가하며, 대략 1 ℃당 0.5~1% 정도로 알려져 있습니다. 게다가 VBE가 약 −2 mV/℃로 내려가고, 컬렉터-베이스 간 누설 전류 ICBO도 약 10 ℃마다 2배로 늘어납니다. 이 세 가지가 겹쳐 온도 상승 시 컬렉터 전류가 늘기 때문에, 에미터 저항에 의한 음의 피드백 등으로 동작점을 안정시킵니다. 반대로 저온에서는 hFE가 내려가므로 구동 부족에 주의해야 합니다.

해설 속 電流増幅率(hFE)

hFE는 에미터 접지에서의 직류 전류 증폭률이며 hFE = IC/IB입니다.
바이폴라 트랜지스터의 직류 전류 증폭률 hFE를 나타내는 식은? (IC: 컬렉터 전류, IB: 베이스 전류…
실리콘 트랜지스터의 hFE는 일반적으로 온도가 오르면 증가하며, 대략 1 ℃당 0.5~1% 정도로 알려져 있습니다.
실리콘 바이폴라 트랜지스터의 전류 증폭률 hFE는 일반적으로 온도가 오르면 어떻게 되는가?
능동 영역에서는 IC = hFE × IB이므로 100 × 10 µA = 1,000 µA = 1 mA가 됩니다.
직류 전류 증폭률 hFE = 100인 트랜지스터에 베이스 전류 10 μA를 흘렸을 때, 능동 영역에서의 컬…
hFE는 직류에서의 컬렉터 전류와 베이스 전류의 비 IC/IB, hfe는 동작점 주위의 작은 변화분의 비 ΔIC/ΔIB입니다.
직류 전류 증폭률 hFE와 소신호 전류 증폭률 hfe의 차이로 올바른 것은?
소전류에서는 공핍층에서의 재결합 전류(exp(qV/2kT)에 비례)가 베이스 전류에서 차지하는 비율이 커져 hFE가 내려갑니다.
바이폴라 트랜지스터의 전류 증폭률 hFE의 컬렉터 전류 의존성으로 올바른 것은?

電流増幅率(hFE)란?

도전해 보기: 電流増幅率(hFE) 관련 문제

바이폴라 트랜지스터의 직류 전류 증폭률 hFE를 나타내는 식은? (IC: 컬렉터 전류, IB: 베이스 전류, IE: 에미터 전류)

실리콘 바이폴라 트랜지스터의 전류 증폭률 hFE는 일반적으로 온도가 오르면 어떻게 되는가?

해설 속 電流増幅率(hFE)

電流増幅率(hFE)이(가) 나오는 문제 (13)

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