Bipolaire transistor

Welke uitspraak over de kenmerken van een gemeenschappelijke-collectorschakeling (emittervolger) is juist?

  1. ADe spanningsversterking is zeer groot
  2. BDe fase van de uitgang is omgekeerd ten opzichte van de ingang
  3. CDe spanningsversterking is ongeveer 1 en de uitgangsimpedantie is laag, zodat hij als buffer wordt gebruikt
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. De spanningsversterking is ongeveer 1 en de uitgangsimpedantie is laag, zodat hij als buffer wordt gebruikt

Bij een emittervolger volgt de emitterspanning de basisspanning op een waarde die VBE (circa 0,7 V) lager ligt, zodat de spanningsversterking ongeveer 1 is en de uitgang in fase is. De ingangsimpedantie is circa (hFE+1) maal die van de belasting en dus hoog, en de uitgangsimpedantie is laag, circa de weerstand van de signaalbron ÷ (hFE+1) + 1/gm. Daarom wordt hij gebruikt als buffer waarbij een bron met hoge impedantie een belasting met lage impedantie aanstuurt, en in de uitgangstrap van voedingsschakelingen.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Bipolaire transistor

  1. Welke uitspraak over de kenmerken van een gemeenschappelijke-basisschakeling is juist?
  2. Welke uitspraak over de transitiefrequentie fT van een bipolaire transistor is juist?
  3. Welke uitspraak over thermal runaway (thermische doorloop) van een bipolaire transistor is juist?
  4. Welke uitspraak over de SiGe-HBT (heterojunctie-bipolaire transistor) is juist?
  5. Welke richtwaarde voor de collector-emitterspanning van een bipolaire siliciumtransistor in het verzadigingsgebied is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp