Welk verband tussen de doorslagspanning BVCEO tussen collector en emitter bij open basis en de doorslagspanning BVCBO tussen collector en basis bij open emitter is juist?

Antwoord: B. BVCEO is lager dan BVCBO

Bij open basis hopen de gaten die door lawinevorming in de collectorovergang ontstaan zich op in de basis, werken zij als basisstroom en worden ze door de versterkende werking van de transistor versterkt. De stroom neemt daardoor sterk toe zodra de vermenigvuldigingsfactor M slechts circa 1 + 1/hFE bereikt, en BVCEO ≈ BVCBO/hFE^(1/n) (n is circa 3 tot 6) kan enkele malen lager zijn dan BVCBO. Bij het schakelingontwerp wordt de lagere BVCEO als maat voor de doorslagspanning genomen en met marge gebruikt.