Nederlands
Menu

Bipolaire transistor

Wat is het belangrijkste doel van een weerstand in serie met de basis in een schakeling waarin een transistor als schakelaar wordt gebruikt?

  1. AOm de stroomversterking van de transistor te verhogen
  2. BOm de collectorstroom te vergroten
  3. COm de basisstroom tot een geschikte waarde te beperken en de basis-emitterovergang en de stuurschakeling te beschermen
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Om de basisstroom tot een geschikte waarde te beperken en de basis-emitterovergang en de stuurschakeling te beschermen

De basis-emitterovergang is een pn-overgang in doorlaatrichting, zodat een te grote stroom vloeit als zonder weerstand spanning wordt aangelegd. De basisweerstand wordt bepaald met "(stuurspanning − 0,7 V) ÷ benodigde basisstroom", en om zeker te verzadigen laat men een basisstroom vloeien die enkele malen IC/hFE (minimumwaarde) is. Bij een microcontrolleruitgang van 3,3 V, IC = 100 mA en hFE = 100 wordt bijvoorbeeld uitgegaan van 5 mA, vijf maal 1 mA, wat circa 520 Ω geeft; in de praktijk wordt circa 470 Ω gekozen.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Bipolaire transistor

  1. Welke uitspraak over het verschil tussen de gelijkstroomversterking hFE en de kleinsignaalstroomversterking hfe is juist?
  2. Welk model beschrijft het grootsignaalgedrag van een bipolaire transistor met twee diodes en stroombronnen?
  3. Welke uitspraak over de afhankelijkheid van de stroomversterking hFE van een bipolaire transistor van de collectorstroom is juist?
  4. Welk verband tussen de doorslagspanning BVCEO tussen collector en emitter bij open basis en de doorslagspanning BVCBO tussen collector en basis bij open emitter is juist?
  5. Welke uitspraak over het Miller-effect, dat de hoogfrequentprestaties van een gemeenschappelijke-emitterversterker verslechtert, is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp