Nederlands
Menu

Bipolaire transistor

Welke uitspraak over de afhankelijkheid van de stroomversterking hFE van een bipolaire transistor van de collectorstroom is juist?

  1. AHij is maximaal bij een gemiddelde stroom en daalt bij zowel kleine als grote stromen
  2. BHij is constant, onafhankelijk van de collectorstroom
  3. CHij neemt monotoon toe naarmate de collectorstroom groter is
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Hij is maximaal bij een gemiddelde stroom en daalt bij zowel kleine als grote stromen

Bij kleine stromen neemt de recombinatiestroom in het uitputtingsgebied (evenredig met exp(qV/2kT)) een groter aandeel in de basisstroom in, waardoor hFE daalt. Bij grote stromen daalt hFE door het hoge-injectie-effect, waarbij de geïnjecteerde ladingsdragers de dotering van de basis overtreffen, en door het Kirk-effect, waarbij de basis effectief naar de collectorzijde verbreedt. hFE is daarom maximaal bij een gemiddelde stroom. In het ontwerp wordt aan de hand van de hFE-IC-karakteristiek in het datablad gebruikgemaakt van het gebied waar hFE hoog is.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Bipolaire transistor

  1. Welk verband tussen de doorslagspanning BVCEO tussen collector en emitter bij open basis en de doorslagspanning BVCBO tussen collector en basis bij open emitter is juist?
  2. Welke uitspraak over het Miller-effect, dat de hoogfrequentprestaties van een gemeenschappelijke-emitterversterker verslechtert, is juist?
  3. Wat is het doel van een transistor met een parallel tussen basis en collector geplaatste schottky-barrièrediode (schottkyklem)?
  4. Welke biasvoorwaarde is juist wanneer een NPN-transistor voor versterking wordt gebruikt (in het actieve gebied)?
  5. Welke formule geeft de gelijkstroomversterking hFE van een bipolaire transistor? (IC: collectorstroom, IB: basisstroom, IE: emitterstroom)

Vergelijkingen bij dit onderwerp