Methode waarbij eerst bijvoorbeeld germanium wordt geïmplanteerd om het oppervlak amorf te maken, zodat channeling bij de volgende implantatie wordt onderdrukt en ondiepe juncties ontstaan.
Japanse benaming: プリアモルファス化注入(PAI)
“Pre-amorfisatie-implantatie (PAI)” komt voor in 1 oefenvragen uit 1 onderwerpen, bijv. Ionenimplantatie.
Vakgebied: Ionenimplantatie
Antwoord: B. Met Ge en dergelijke het oppervlak amorf maken, channeling bij de volgende implantatie onderdrukken en zo een ondiepe junctie verkrijgen
Als eerst zware ionen zoals germanium of silicium worden geïmplanteerd om het oppervlak tot een diepte van enkele tientallen nm amorf te maken, verdwijnt de atoomorde, zodat channeling van het daarna geïmplanteerde boor en dergelijke wordt onderdrukt en een ondiepe junctie kan worden gemaakt. De amorfe laag herkristalliseert bij de anneal door vastefase-epitaxiale groei vanuit het onderliggende kristal; daarbij worden dopeerstoffen op roosterplaatsen opgenomen, wat het voordeel van een hoge activering heeft. Aan de grens kunnen EOR-defecten achterblijven.
Channeling Epitaxiale groei Dosis Faradaycup Gloeien (annealing) Halo-implantatie (pocket-implantatie) Ionenimplantatie Laseranneal Oplosbaarheid (solid solubility) Plasmadotering (plasma doping)