Wat is TXRF (total reflection X-ray fluorescence)?

Analysemethode waarbij röntgenstraling onder een zeer kleine hoek op het waferoppervlak valt en totaal wordt gereflecteerd, en de fluorescentiestraling van minieme metaalverontreinigingen aan het oppervlak zeer gevoelig wordt gemeten.

Japanse benaming: TXRF(全反射蛍光X線分析)

“TXRF (total reflection X-ray fluorescence)” komt voor in 3 oefenvragen uit 2 onderwerpen, bijv. Metrologie en analyse, Siliciumwafers.

Vakgebied: Metrologie en analyse

Nu oefenen: vragen over TXRF (total reflection X-ray fluorescence)

Welke voorbehandelingsmethode lost, voor de gevoelige analyse van metaalverontreiniging aan het waferoppervlak, de oxidelaag aan het oppervlak op met waterstoffluoridedamp, verzamelt de verontreiniging in een druppel en brengt die in een analyseapparaat?

  1. AVierpuntsmethode
  2. BSEM-waarneming
  3. CVPD-methode (damp-fase decompositie)
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. VPD-methode (damp-fase decompositie)

Bij de VPD-methode wordt het natuurlijke oxide aan het waferoppervlak met waterstoffluoridedamp ontbonden en wordt met een kleine druppel over het oppervlak gescand om metaalonzuiverheden te verzamelen en op te vangen. Wordt de opgevangen vloeistof met ICP-MS of totale-reflectie-röntgenfluorescentie (TXRF) geanalyseerd, dan kan de metaalverontreiniging over de hele wafer worden gemeten met een gevoeligheid van circa 10⁸ tot 10⁹ atomen/cm². Het is een onmisbare methode voor het bewaken van verontreiniging door apparatuur en chemicaliën en voor het beoordelen van reinigingsprocessen.

Welke methode wordt veel gebruikt voor de analyse van sporen van metaalverontreiniging op het waferoppervlak?

  1. ATotale-reflectie-röntgenfluorescentie-analyse (TXRF)
  2. BVierpuntsmethode
  3. CEllipsometrie
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Totale-reflectie-röntgenfluorescentie-analyse (TXRF)

Bij TXRF valt röntgenstraling onder een zeer ondiepe hoek van ongeveer 0,1° op het waferoppervlak en wordt totaal gereflecteerd; de fluorescentie-röntgenstraling van atomen nabij het oppervlak wordt gemeten. Omdat de röntgenstraling niet in het materiaal doordringt en het signaal van het substraat klein is, kunnen sporen metaal in de orde van 10⁹ tot 10¹⁰ atomen/cm² niet-destructief worden gedetecteerd. Als de oxidefilm aan het oppervlak eerst met fluorwaterstofdamp wordt opgelost en op één punt wordt verzameld voordat wordt gemeten, neemt de gevoeligheid verder toe. Met de vierpuntsmethode of ellipsometrie is verontreiniging niet te zien.

“TXRF (total reflection X-ray fluorescence)” in de toelichting

Vragen met “TXRF (total reflection X-ray fluorescence)” (3)

  1. Welke voorbehandelingsmethode lost, voor de gevoelige analyse van metaalverontreiniging aan het waferoppervlak, de oxidelaag aan het oppervlak op met waterstoffluoridedamp, verzamelt de verontreiniging in een druppel en brengt die in een analyseapparaat?
  2. Welke methode wordt veel gebruikt voor de analyse van sporen van metaalverontreiniging op het waferoppervlak?
  3. Welke analysemethode detecteert het zwakke licht dat een defecte plek tijdens bedrijf uitzendt om de foutplek van een LSI te lokaliseren?

Verwante termen

ICP (inductief gekoppeld plasma) Ellipsometrie Meerlaagse bedrading XRD (röntgendiffractie) AFM (atomic force microscope) CD-SEM Defectinspectieapparaat EDX (energiedispersieve röntgenspectroscopie) FIB (focused ion beam) SEM (scanning-elektronenmicroscoop)

Naar de woordenlijst