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Plaquettes de silicium

Un traitement thermique du silicium CZ vers 450 ℃ peut rassembler des atomes d'oxygène qui agissent comme donneurs et modifient la résistivité du wafer. Comment appelle-t-on ce phénomène ?

  1. ASite de gettering
  2. BDonneur thermique
  3. CAccepteur profond
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Réponse : B. Donneur thermique

Un traitement thermique entre 350 et 500 ℃ du silicium CZ contenant de l'oxygène interstitiel forme des agrégats de quelques atomes d'oxygène, qui libèrent des électrons et agissent comme donneurs (donneurs thermiques). Leur formation est la plus rapide vers 450 ℃ et leur concentration peut atteindre environ 10¹⁶ cm⁻³ ; dans les wafers de type p faiblement dopés en particulier, la résistivité peut changer fortement, voire le type s'inverser en n. Un bref traitement thermique au-delà d'environ 650 ℃ les élimine, et il est appliqué avant expédition des wafers.

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