Méthode qui fait fondre localement un barreau de silicium polycristallin et déplace la zone fondue pour obtenir un monocristal. Sans creuset, peu d'oxygène : adaptée aux plaquettes à haute résistivité.
Nom japonais: FZ法(フローティングゾーン法)
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Domaine: Plaquettes de silicium
Réponse : B. Comme aucun creuset en quartz n'est utilisé, il contient peu d'impuretés comme l'oxygène, et des cristaux de haute résistivité sont faciles à obtenir
La méthode FZ fond une zone d'un barreau de silicium polycristallin par chauffage par induction haute fréquence et déplace cette zone fondue pour monocristalliser le barreau. Sans creuset, l'incorporation d'oxygène est faible, et les impuretés se concentrent dans la zone fondue et sont éliminées ; on obtient ainsi des cristaux de haute pureté dont la résistivité peut dépasser 1000 Ω·cm. Ils servent aux composants de puissance à haute tenue en tension (IGBT, etc.) et aux détecteurs, mais les grands diamètres sont plus faciles en CZ, la limite étant d'environ 200 mm.
La méthode FZ fond une zone d'un barreau de silicium polycristallin par chauffage par induction haute fréquence et déplace cette zone fondue pour monocristalliser le barreau.
Quelle caractéristique du silicium monocristallin obtenu pa…IGBT Coefficient de ségrégation Donneurs thermiques DZ (zone dénudée) Encoche de plaquette (notch) Getter (gettering) Glissement (slip) Lingot Méthode CZ (Czochralski) Méthode MCZ (Czochralski sous champ magnétique)