Abkürzung für Tetraethoxysilan, eine flüssige siliziumorganische Verbindung, die weithin als Ausgangsstoff für CVD-Siliziumoxid dient. Sie liefert Oxidschichten mit guter Kantenbedeckung.
Japanische Bezeichnung: TEOS
Fachgebiet: Abscheidung (CVD und PVD)
ALD (Atomlagenabscheidung) CVD (chemische Gasphasenabscheidung) Elektrostatischer Chuck Flächenselektive Abscheidung (Area-Selective Deposition) Galvanische Abscheidung (Electroplating) HDP-CVD (Hochdichteplasma-CVD) Kantenbedeckung (Step Coverage) LPCVD (Niederdruck-CVD) Magnetron-Sputtern PECVD (plasmaunterstützte CVD)