Film formé sur la couche supérieure de la puce pour protéger les circuits de l'humidité, de la contamination et des rayures. On utilise le nitrure de silicium, le polyimide, etc.
Nom japonais: パッシベーション膜
« Couche de passivation » apparaît dans 5 questions d'entraînement réparties sur 2 thèmes, dont Gravure, Packaging avancé (3D et chiplets).
Domaine: Procédés d'interconnexion
Réponse : C. Les gaz halogénés comme le chlore (Cl2) ou le bromure d'hydrogène (HBr)
La gravure du polysilicium utilise couramment des gaz halogénés comme le chlore ou le bromure d'hydrogène. Ils réagissent avec le silicium pour former les composés volatils SiCl4 ou SiBr4 tout en réagissant à peine avec l'oxyde, ce qui permet une sélectivité élevée, de 100 ou plus, par rapport au mince oxyde de grille sous-jacent. Le HBr forme facilement une couche de passivation sur les flancs et facilite l'obtention de profils verticaux. Un peu d'oxygène est ajouté pour ajuster la quantité de passivation.
Réponse : A. La couche de passivation déposée sur les flancs empêche la gravure latérale, tandis qu'au fond le bombardement ionique la retire et la gravure progresse
En gravure sèche, des polymères issus des gaz fluorocarbonés ou des produits de réaction se déposent sur les flancs et empêchent la gravure latérale. Au fond, en revanche, les ions frappant verticalement retirent cette couche de passivation et la gravure progresse. Une passivation excessive donne des trous effilés (pente), une passivation insuffisante un élargissement latéral (bowing) ; l'équilibre est obtenu par la composition des gaz et la température pour obtenir des profils verticaux.
Le HBr forme facilement une couche de passivation sur les flancs et facilite l'obtention de profils verticaux.
Quels gaz sont couramment utilisés pour la gravure sèche de…Au fond, en revanche, les ions frappant verticalement retirent cette couche de passivation et la gravure progresse.
Quel est l'un des mécanismes permettant d'obtenir l'anisotr…Lorsque la plaquette est refroidie à température cryogénique, par exemple −60 ℃ ou moins, les réactions chimiques spontanées des radicaux sur les flancs sont limitées et les produits de réaction ou gaz condensés jouent le rôle de couche de passivation, tandis que la gravure progresse au fond, là où frappent les ions.
Pourquoi la gravure avec plaquette refroidie à température …Si des polymères, comme la couche de passivation déposée sur les flancs pendant la gravure, subsistent, l'adhérence du dépôt suivant se dégrade, la résistance de contact augmente, ou des résidus chlorés corrodent les interconnexions en aluminium.
Pourquoi retire-t-on les produits de réaction (polymères) r…Le TSV est réalisé en perçant dans le silicium un trou de rapport d'aspect d'environ 10 par gravure profonde, par exemple le procédé Bosch qui alterne gravure et dépôt de couche de passivation, puis en formant sur ses parois un film isolant, une couche barrière et une couche d'amorçage, avant de le remplir de cuivre ou autre par dépôt électrolytique.
Quel est le procédé de formation courant d'un TSV ?Gravure sèche Rapport d'aspect Sélectivité 3D NAND Stiction (adhérence) Contact Décapage plasma (ashing) TSV (via traversant le silicium) Procédé Bosch (Deep RIE) Couche d'amorçage (seed layer)