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Transistors bipolaires

Dans un transistor NPN, quelle est la principale raison de doper l'émetteur plus fortement que la base ?

  1. AAugmenter l'efficacité d'injection de l'émetteur et accroître le gain en courant
  2. BAugmenter la tenue en tension du collecteur
  3. CAugmenter la résistance de base
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Réponse : A. Augmenter l'efficacité d'injection de l'émetteur et accroître le gain en courant

Avec un émetteur fortement dopé, la quasi-totalité du courant traversant la jonction base-émetteur est constituée d'électrons allant de l'émetteur vers la base (efficacité d'injection élevée). Le courant de trous allant en sens inverse de la base vers l'émetteur n'atteint pas le collecteur et ne fait que s'ajouter au courant de base ; le réduire augmente le gain en courant. Un dopage excessif de l'émetteur atténue cet effet par rétrécissement de la bande interdite ; les HBT résolvent ce problème en utilisant pour l'émetteur un matériau à plus large bande interdite.

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