Croissance épitaxiale
Quelle technique est utilisée pour former la couche de base d'un HBT SiGe ?
- ALa croissance épitaxiale (avec parfois une concentration de Ge variant en profondeur)
- BLa CMP
- CLa pulvérisation
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Réponse : A. La croissance épitaxiale (avec parfois une concentration de Ge variant en profondeur)
La base d'un HBT SiGe est réalisée par croissance épitaxiale à basse température, sur silicium, d'une couche de SiGe de quelques dizaines de nm dopée au bore. En augmentant la concentration de Ge de 0 % côté émetteur à 20-30 % côté collecteur, l'inclinaison de la bande interdite crée un champ électrique dans la base qui accélère les électrons et réduit le temps de transit. L'ajout d'un peu de carbone pour freiner la diffusion du bore et conserver une base mince est également pratiqué.