Croissance épitaxiale
Quelle est la plage d'épaisseur usuelle de la couche épitaxiale des plaquettes de silicium épitaxiées pour LSI et composants de puissance ?
- AQuelques nm environ
- BQuelques µm à quelques dizaines de µm environ
- CQuelques mm environ
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Réponse : B. Quelques µm à quelques dizaines de µm environ
Les couches épitaxiales pour logique et capteurs d'image font quelques µm environ ; pour les composants de puissance haute tension, elles s'épaississent selon la tenue en tension, atteignant quelques dizaines de µm pour le Si de classe 600 V et dépassant parfois 100 µm pour le SiC de classe 10 kV. Elles restent très minces comparées au corps de la plaquette d'environ 775 µm. À l'opposé, les couches épitaxiales de composés comme la base des HBT ou les puits quantiques font quelques nm à quelques dizaines de nm ; selon l'application, l'épaisseur varie sur plus de 4 ordres de grandeur.