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Transistors bipolaires

Quelle caractéristique du HBT SiGe (transistor bipolaire à hétérojonction) est correcte ?

  1. AC'est un transistor dont la base est métallique
  2. BGrâce à l'hétérojonction formée par une base en SiGe, il fonctionne facilement jusqu'à de hautes fréquences
  3. CSon gain en courant est fixé à une valeur inférieure ou égale à 1
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Réponse : B. Grâce à l'hétérojonction formée par une base en SiGe, il fonctionne facilement jusqu'à de hautes fréquences

Le HBT SiGe est un transistor bipolaire à hétérojonction dont la base est en SiGe, de bande interdite plus étroite. L'écart de bande interdite entre émetteur et base limitant l'injection inverse de trous, la base peut être fortement dopée et mince sans perte d'efficacité d'injection ; un gradient de concentration en Ge peut en outre créer dans la base un champ qui accélère les électrons. Sa fT atteint plusieurs centaines de GHz et, fabriqué avec des procédés silicium, il est utilisé dans les circuits RF des smartphones, les communications optiques et les radars automobiles.

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