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Transistors bipolaires

Vérifiez les bases des transistors bipolaires (structure NPN/PNP, conditions de polarisation, gain en courant) avec des QCM.

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Transistors bipolaires : points clés

Un transistor bipolaire possède une structure à trois couches (émetteur, base, collecteur), et les électrons comme les trous participent à son fonctionnement. Le courant de base commande le courant de collecteur et l'amplifie.

Pour l'amplification (régime actif), la jonction base-émetteur est polarisée en direct et la jonction base-collecteur en inverse. Retenez le gain en courant hFE, la relation entre largeur de base et recombinaison, ainsi que la signification des régimes de saturation et de blocage.

Toutes les questions sur Transistors bipolaires (50)
  1. Quelles conditions de polarisation sont correctes pour utiliser un transistor NPN en amplification (fonctionnement en régime actif) ?
  2. Quelle expression donne le gain en courant continu hFE d'un transistor bipolaire ? (IC : courant de collecteur, IB : courant de base, IE : courant d'émetteur)
  3. Quelle est la raison la plus appropriée d'amincir la base d'un transistor bipolaire ?
  4. Lorsqu'un transistor bipolaire est utilisé comme interrupteur, quel régime de fonctionnement correspond à l'état passant ?
  5. Quelle est la phase de la tension de sortie d'un amplificateur en émetteur commun par rapport à la tension d'entrée ?
  6. Dans un transistor NPN, quelle est la principale raison de doper l'émetteur plus fortement que la base ?
  7. Pour un transistor bipolaire de gain en courant en base commune α = 0,99, quel est approximativement le gain en courant en émetteur commun β ?
  8. Quelle définition de l'effet Early d'un transistor bipolaire est correcte ?
  9. Quelle caractéristique du montage Darlington, qui combine deux transistors, est correcte ?
  10. Dans un transistor PNP, quels porteurs, injectés de l'émetteur dans la base, transportent principalement le courant ?
  11. Quelle caractéristique de l'amplificateur en collecteur commun (émetteur suiveur) est correcte ?
  12. Quelle caractéristique de l'amplificateur en base commune est correcte ?
  13. Quelle est la signification de la fréquence de transition fT d'un transistor bipolaire ?
  14. Quelle définition de l'emballement thermique d'un transistor bipolaire est correcte ?
  15. Quelle caractéristique du HBT SiGe (transistor bipolaire à hétérojonction) est correcte ?
  16. Quel est l'ordre de grandeur de la tension collecteur-émetteur d'un transistor bipolaire silicium en régime saturé ?
  17. Quel circuit utilise deux transistors appariés pour faire circuler dans l'un un courant de même intensité que celui imposé dans l'autre ?
  18. Quelle est la fonction d'une paire différentielle, constituée de deux transistors dont les émetteurs sont reliés à une source de courant commune ?
  19. Quelle est approximativement la transconductance gm d'un transistor bipolaire fonctionnant à un courant de collecteur de 1 mA ? (température ambiante, tension thermique VT ≈ 26 mV)
  20. Quelle est la principale utilisation d'un photocoupleur, qui associe une LED et un phototransistor dans un même boîtier ?
  21. Dans un amplificateur à transistor, quelle est la principale raison d'utiliser une polarisation par contre-réaction de courant avec une résistance d'émetteur ?
  22. Comment appelle-t-on l'état continu de tension et de courant du transistor d'un amplificateur en l'absence de signal d'entrée ?
  23. Quelle distorsion apparaît facilement dans un amplificateur push-pull classe B où des transistors NPN et PNP se partagent les demi-périodes positive et négative ?
  24. Quel est le rôle du condensateur de liaison placé entre les étages d'un amplificateur ?
  25. Comment évolue généralement le gain en courant hFE d'un transistor bipolaire silicium lorsque la température augmente ?
  26. Quelle condition augmente la résistance d'entrée petit signal (hie) d'un amplificateur en émetteur commun ?
  27. Quel avantage présente une charge active, qui remplace la résistance de charge d'un amplificateur par un transistor fonctionnant en source de courant ?
  28. Lorsqu'on bloque un transistor de commutation depuis un état de saturation profonde, quelle est la principale raison du délai avant le blocage ?
  29. Quelle famille de circuits logiques typique est réalisée avec des transistors bipolaires ?
  30. Quelle combinaison d'une technique intégrant transistors bipolaires et CMOS sur une même puce et de son objectif est correcte ?
  31. Quelle combinaison désigne correctement les trois bornes d'un transistor bipolaire ?
  32. Dans le symbole d'un transistor NPN, quel est le sens correct de la flèche portée par l'émetteur ?
  33. Quelle relation entre le courant d'émetteur IE, le courant de base IB et le courant de collecteur IC d'un transistor bipolaire est correcte ?
  34. Si l'on fait circuler un courant de base de 10 μA dans un transistor de gain en courant continu hFE = 100, quel est approximativement le courant de collecteur en régime actif ?
  35. Quel est l'état des jonctions d'un transistor bipolaire en régime bloqué (état ouvert) ?
  36. Quel est l'ordre de grandeur de la tension base-émetteur VBE d'un transistor bipolaire silicium en régime actif ?
  37. Quelle est la puissance dissipée au collecteur d'un transistor fonctionnant avec une tension collecteur-émetteur de 5 V et un courant de collecteur de 100 mA ?
  38. Quelle différence de commande entre transistor bipolaire et MOSFET est correcte ?
  39. Dans un amplificateur en émetteur commun, avec une transconductance gm = 40 mS et une résistance de collecteur RC = 5 kΩ, quelle est approximativement l'amplitude du gain en tension ? (charge négligée)
  40. Quel est l'état des jonctions d'un transistor bipolaire en régime saturé ?
  41. Lorsqu'on trace les caractéristiques de sortie (IC-VCE) d'un transistor en émetteur commun avec le courant de base IB comme paramètre, quelle caractéristique du régime actif est correcte ?
  42. Que représente la « droite de charge » tracée sur les caractéristiques de sortie d'un amplificateur à transistor ?
  43. Quelle valeur est la plus proche du rendement maximal d'un amplificateur push-pull classe B idéal ?
  44. Dans un montage utilisant un transistor en commutation, quel est le principal objectif de la résistance placée en série avec la base ?
  45. Quelle différence entre le gain en courant continu hFE et le gain en courant petit signal hfe est correcte ?
  46. Quel modèle représente le fonctionnement grand signal d'un transistor bipolaire par deux diodes et des sources de courant ?
  47. Quelle dépendance du gain en courant hFE d'un transistor bipolaire vis-à-vis du courant de collecteur est correcte ?
  48. Quelle relation entre la tension de claquage collecteur-émetteur base ouverte BVCEO et la tension de claquage collecteur-base émetteur ouvert BVCBO est correcte ?
  49. Quelle description de l'effet Miller, qui dégrade le comportement en haute fréquence d'un amplificateur en émetteur commun, est correcte ?
  50. Quel est l'objectif d'un transistor muni d'une diode à barrière Schottky en parallèle entre base et collecteur (clampage Schottky) ?

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