Fréquence à laquelle le gain en courant en émetteur commun tombe à 1, notée fT. Indicateur typique des performances haute fréquence d'un transistor.
Nom japonais: トランジション周波数
« Fréquence de transition » apparaît dans 1 questions d'entraînement réparties sur 1 thèmes, dont Transistors bipolaires.
Domaine: Transistors bipolaires
Réponse : B. La fréquence à laquelle le gain en courant en émetteur commun tombe à 1
Le gain en courant diminue quand la fréquence augmente, principalement à cause du temps de transit dans la base et de la charge-décharge des capacités de jonction. La fréquence à laquelle le gain en courant en émetteur commun vaut 1 est la fréquence de transition fT, approximativement fT ≈ gm/(2π(Cπ + Cμ)). C'est un indicateur des performances en haute fréquence : quelques centaines de MHz pour un transistor petits signaux généraliste, plus de 300 GHz pour certains HBT SiGe. On utilise aussi la fréquence maximale d'oscillation fmax, où le gain en puissance vaut 1.
La fréquence à laquelle le gain en courant en émetteur commun vaut 1 est la fréquence de transition fT, approximativement fT ≈ gm/(2π(Cπ + Cμ)).
Quelle est la signification de la fréquence de transition f…Gain en courant (hFE) HBT (transistor bipolaire à hétérojonction) SiGe (silicium-germanium) Distorsion de croisement Effet Early Effet Miller Émetteur suiveur Miroir de courant Montage Darlington Montage émetteur commun