Plaquettes de silicium
Quelle caractéristique du silicium monocristallin obtenu par la méthode FZ (zone flottante) est correcte ?
- AC'est la méthode qui se prête le plus facilement aux grands diamètres et la méthode dominante pour les wafers de 300 mm
- BComme aucun creuset en quartz n'est utilisé, il contient peu d'impuretés comme l'oxygène, et des cristaux de haute résistivité sont faciles à obtenir
- CLe silicium polycristallin est monocristallisé sans être fondu
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Réponse : B. Comme aucun creuset en quartz n'est utilisé, il contient peu d'impuretés comme l'oxygène, et des cristaux de haute résistivité sont faciles à obtenir
La méthode FZ fond une zone d'un barreau de silicium polycristallin par chauffage par induction haute fréquence et déplace cette zone fondue pour monocristalliser le barreau. Sans creuset, l'incorporation d'oxygène est faible, et les impuretés se concentrent dans la zone fondue et sont éliminées ; on obtient ainsi des cristaux de haute pureté dont la résistivité peut dépasser 1000 Ω·cm. Ils servent aux composants de puissance à haute tenue en tension (IGBT, etc.) et aux détecteurs, mais les grands diamètres sont plus faciles en CZ, la limite étant d'environ 200 mm.