Modèle de l'oxydation thermique du silicium où l'oxydant diffuse dans l'oxyde puis réagit avec le silicium à l'interface Si/SiO2. Pour un film mince, l'épaisseur est proportionnelle au temps ; pour un film épais, à la racine carrée du temps.
Nom japonais: Deal-Groveモデル
« Modèle de Deal-Grove » apparaît dans 4 questions d'entraînement réparties sur 1 thèmes, dont Oxydation et diffusion.
Domaine: Oxydation et diffusion
Réponse : C. L’oxydant diffuse à travers l’oxyde et réagit avec le silicium à l’interface Si/SiO2
Le modèle de Deal-Grove (1965) considère que l’oxydant passe de la phase gazeuse à la surface de l’oxyde, diffuse dans le film et réagit à l’interface avec le silicium pour former un nouvel oxyde. L’oxyde croît donc côté interface, et l’interface est toujours une surface nouvelle. Plus l’oxyde s’épaissit, plus la distance de diffusion s’allonge et plus la croissance ralentit. En égalant les flux de ces trois étapes, on exprime les lois linéaire et parabolique en une seule équation.
Réponse : B. L’épaisseur est à peu près proportionnelle au temps (croissance linéaire)
Tant que l’oxyde est mince, l’oxydant le traverse facilement et c’est la vitesse de réaction à l’interface qui est limitante ; l’épaisseur augmente à peu près proportionnellement au temps (loi linéaire, constante de vitesse B/A). Lorsque le film s’épaissit, la diffusion de l’oxydant dans le film devient limitante et l’épaisseur devient proportionnelle à la racine carrée du temps (loi parabolique, constante de vitesse B). La transition se situe vers une épaisseur d’environ A/2, soit quelques dizaines de nm à environ 100 nm en oxydation sèche.
Le modèle de Deal-Grove (1965) considère que l’oxydant passe de la phase gazeuse à la surface de l’oxyde, diffuse dans le film et réagit à l’interface avec le silicium pour former un nouvel oxyde.
Selon le modèle de Deal-Grove, où se déroule l’oxydation th…Le modèle de Deal-Grove décrit bien la croissance des oxydes épais, mais en oxydation sèche, dans le régime initial où l’épaisseur est de quelques dizaines de nm ou moins, l’oxydation réelle est plus rapide que ne le prédit le modèle.
Lors de la formation par oxydation sèche d’oxydes minces de…Le modèle de Deal-Grove donne x² + Ax = B(t + τ) : tant que le film est mince, la réaction à l’interface est limitante et l’épaisseur est à peu près proportionnelle au temps (loi linéaire, x ≈ (B/A)t) ; lorsqu’il s’épaissit, la diffusion de l’oxydant dans le film devient limitante et l’épaisseur est proportionnelle à la racine carrée du temps (loi parabolique, x ≈ √(Bt)).
Lorsque l’oxyde est devenu suffisamment épais en oxydation …Oxydation thermique Oxydation sèche Oxydation humide Bec d'oiseau (bird's beak) Diffusion accélérée par oxydation (OED) Diffusion thermique États d'interface Ions mobiles LOCOS Oxynitrure (SiON)