Méthode d'isolation entre composants consistant à oxyder fortement uniquement les zones non couvertes de nitrure. Elle crée en bordure une avancée en bec d'oiseau (bird's beak) ; elle a été remplacée par la STI.
Nom japonais: LOCOS
« LOCOS » apparaît dans 7 questions d'entraînement réparties sur 3 thèmes, dont Oxydation et diffusion, Dépôt (CVD et PVD), Gravure.
Domaine: Oxydation et diffusion
Réponse : C. Bec d’oiseau (bird’s beak)
En LOCOS, les zones couvertes de nitrure ne s’oxydent pas, mais l’oxydant diffuse latéralement à travers l’oxyde tampon sous le nitrure et l’oxydation progresse, si bien que l’oxyde empiète en forme de bec d’oiseau (bird’s beak). L’empiètement atteint d’un côté environ la moitié de l’épaisseur d’oxyde et réduit la surface utile des composants ; le LOCOS a donc été remplacé vers le nœud 0.25 µm par le STI à tranchées. L’oxyde tampon est nécessaire pour protéger le silicium des contraintes du nitrure.
Réponse : C. L’oxyde de champ est beaucoup plus épais
L’oxyde de champ est réalisé épais, de l’ordre de quelques centaines de nm, pour éviter qu’un transistor parasite ne devienne passant entre les interconnexions qui le surmontent et le silicium. Plus il est épais, plus la tension de seuil du transistor parasite est élevée. À l’inverse, l’oxyde de grille est très mince, de quelques nm, pour transmettre fortement le champ de la grille au canal ; l’écart dépasse un facteur 100. Une même puce peut aussi employer des oxydes de grille plus épais pour les entrées/sorties.
En LOCOS, les zones couvertes de nitrure ne s’oxydent pas, mais l’oxydant diffuse latéralement à travers l’oxyde tampon sous le nitrure et l’oxydation progresse, si bien que l’oxyde empiète en forme de bec d’oiseau (bird’s beak).
En LOCOS (oxydation localisée), comment s’appelle le phénom…Le LOCOS, autrefois dominant, ne permettait pas de réduire la largeur d’isolation à cause du bec d’oiseau, l’empiètement latéral de l’oxyde, et laissait des marches en surface ; il a été remplacé par le STI vers le nœud 0.25 µm.
Quelle méthode est principalement utilisée pour l’isolation…Le SiO2 formé par oxydation thermique, très isolant et doté d’une interface de bonne qualité avec le silicium, a servi d’isolant de grille des MOSFET, d’isolation électrique entre composants (LOCOS, liner du STI), de masque d’implantation ionique ou de diffusion et de protection de surface pendant l’implantation.
Quel est un usage typique de l’oxyde thermique du silicium ?Il sert de masque pour l'oxydation localisée (LOCOS), de couche d'arrêt CMP pour la formation des STI, de film de passivation protégeant la surface de la puce, de couche d'arrêt de gravure et de masque dur, d'espaceur de grille et de protection pour les contacts autoalignés.
Quelle utilisation du nitrure de silicium (Si3N4) est corre…Cette gravure sert à retirer le nitrure utilisé comme masque après la formation du LOCOS ou du STI, ou, en 3D NAND, à retirer uniquement le nitrure d'un empilement alterné oxyde/nitrure pour le remplacer par le métal des lignes de mot.
Quelle solution est couramment utilisée pour la gravure hum…STI (isolation par tranchées peu profondes) CMP Sélectivité Tension de seuil CVD FinFET Oxydation thermique Implantation ionique Masque dur Gravure humide