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Qu'est-ce que États d'interface ?

Niveaux d'énergie dans la bande interdite créés à l'interface semi-conducteur-isolant par des liaisons pendantes, etc. En piégeant et libérant des porteurs, ils causent des variations de tension de seuil, une baisse de mobilité et du bruit.

Nom japonais: 界面準位

« États d'interface » apparaît dans 7 questions d'entraînement réparties sur 5 thèmes, dont Capteurs d'images et composants optiques, Fiabilité, Physique des semi-conducteurs.

Domaine: Oxydation et diffusion

S'entraîner : questions sur États d'interface

Quelle est la structure cristalline du silicium monocristallin ?

  1. AStructure cubique centrée
  2. BStructure diamant
  3. CStructure de type chlorure de sodium
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Réponse : B. Structure diamant

Le silicium a une structure diamant, où chaque atome est lié par covalence à quatre atomes situés aux sommets d'un tétraèdre régulier. La maille élémentaire (arête d'environ 0,543 nm) contient 8 atomes ; le germanium a la même structure. De nombreux composés III-V comme le GaAs adoptent la structure blende, où deux types d'atomes alternent. L'arrangement atomique variant selon le plan cristallin, les MOSFET utilisent principalement des plaquettes orientées (100), qui présentent peu d'états d'interface.

Quelle est la définition du courant d'obscurité d'un capteur d'image ?

  1. ALe courant de signal croissant proportionnellement à l'intensité lumineuse
  2. BLe courant circulant même sans lumière, qui augmente avec la température
  3. CLe courant d'horloge servant à lire les pixels
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Réponse : B. Le courant circulant même sans lumière, qui augmente avec la température

Le courant d'obscurité est le courant dû aux charges générées thermiquement dans la photodiode même sans lumière, principalement à partir des états d'interface de surface, des défauts cristallins ou des niveaux dus à la contamination métallique. Il provoque du bruit et des points blancs (pixels chauds) lors des prises de vue en faible lumière ou des longues expositions, et double environ tous les 6 à 8 ℃ de hausse de température. C'est pourquoi les caméras d'astrophotographie refroidissent leur capteur.

« États d'interface » dans les explications

Questions mentionnant « États d'interface » (7)

  1. Quelle est la structure cristalline du silicium monocristallin ?
  2. Quelle est la définition du courant d'obscurité d'un capteur d'image ?
  3. Dans la photodiode enterrée (pinned photodiode) d'un capteur d'image CMOS, quel est l'objectif principal de la couche p+ fortement dopée en surface ?
  4. Quelle orientation de surface est généralement utilisée pour les wafers de silicium destinés aux LSI CMOS ?
  5. Quel gaz est utilisé comme gaz porteur ou atmosphère réductrice lors de la croissance épitaxiale et des traitements thermiques ?
  6. Quel phénomène de dégradation voit la valeur absolue de la tension de seuil d'un transistor pMOS augmenter progressivement sous l'application continue d'une tension de grille négative et d'une température élevée ?
  7. Quel phénomène dégrade les caractéristiques d'un transistor lorsque des porteurs accélérés par le champ intense près du drain sont injectés dans l'isolant de grille ?

Termes associés

Tension de seuil Courant d'obscurité Photodiode NBTI GaAs (arséniure de gallium) Photodiode enterrée (pinned photodiode) Capteur d'image CMOS CMOS Mobilité Croissance épitaxiale

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