Phénomène par lequel la diffusion du bore ou du phosphore est plus rapide pendant l'oxydation du silicium qu'en son absence. Elle est causée par l'injection dans le silicium des atomes de silicium interstitiels générés par l'oxydation.
Nom japonais: 酸化増速拡散(OED)
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Domaine: Oxydation et diffusion
Réponse : C. Diffusion accélérée par oxydation (OED)
Au cours de l’oxydation, du silicium interstitiel excédentaire à l’interface est injecté dans le silicium. Le bore et le phosphore diffusent facilement en s’associant au silicium interstitiel ; leur diffusion est donc plusieurs fois plus rapide pendant l’oxydation (diffusion accélérée par oxydation, OED). À l’inverse, l’antimoine diffuse principalement par l’intermédiaire des lacunes ; l’augmentation du silicium interstitiel réduit les lacunes et ralentit sa diffusion (diffusion retardée par oxydation). Cette différence a aussi servi d’indice pour élucider les mécanismes de diffusion.
Le bore et le phosphore diffusent facilement en s’associant au silicium interstitiel ; leur diffusion est donc plusieurs fois plus rapide pendant l’oxydation (diffusion accélérée par oxydation, OED).
Comment s’appelle le phénomène par lequel la diffusion du b…Bec d'oiseau (bird's beak) Diffusion thermique États d'interface Ions mobiles LOCOS Modèle de Deal-Grove Oxydation humide Oxydation sèche Oxydation thermique Oxynitrure (SiON)