Phénomène où, pendant la croissance épitaxiale, des impuretés du substrat, etc., sont incorporées dans la couche via la phase gazeuse. Problématique lors de la croissance d'une couche peu dopée sur un substrat fortement dopé.
Nom japonais: オートドーピング
« Autodopage » apparaît dans 4 questions d'entraînement réparties sur 2 thèmes, dont Croissance épitaxiale, Plaquettes de silicium.
Domaine: Croissance épitaxiale
Réponse : C. Substrat pour la croissance de couches épitaxiées faiblement dopées, ou substrat côté drain des composants de puissance verticaux
Les wafers n⁺ fortement dopés et de faible résistivité (environ 0.001 à 0.01 Ω·cm) servent de substrat pour les wafers épitaxiés sur lesquels une couche épitaxiée faiblement dopée est déposée. Dans les MOSFET de puissance et les diodes verticaux, le courant traverse le substrat verticalement ; une faible résistance du substrat réduit donc la résistance à l'état passant. L'arsenic, l'antimoine ou le phosphore sont choisis selon leurs propriétés de ségrégation et d'évaporation, et la limitation de la diffusion vers la couche épitaxiée (autodopage) est un enjeu.
Réponse : A. Autodopage
L'autodopage est le phénomène par lequel des dopants s'évaporent d'un substrat fortement dopé, de sa face arrière ou de ses bords, et sont incorporés via le gaz dans la couche en croissance. Particulièrement important en début de croissance, il fait dévier la concentration de la couche épitaxiale de la valeur visée ou adoucit la transition de concentration à l'interface. Les remèdes sont le recouvrement de la face arrière par un oxyde ou du polysilicium, la croissance à basse pression ou une purge des dopants par gaz avant la croissance.
L'arsenic, l'antimoine ou le phosphore sont choisis selon leurs propriétés de ségrégation et d'évaporation, et la limitation de la diffusion vers la couche épitaxiée (autodopage) est un enjeu.
Quelle est l'utilisation principale des wafers de silicium …L'autodopage est le phénomène par lequel des dopants s'évaporent d'un substrat fortement dopé, de sa face arrière ou de ses bords, et sont incorporés via le gaz dans la couche en croissance.
Comment appelle-t-on le phénomène par lequel des impuretés …À basse pression (quelques kPa à quelques dizaines de kPa), la diffusion des gaz est plus rapide et les dopants évaporés du substrat stagnent moins dans la couche limite proche de la surface de croissance, ce qui limite l'autodopage.
Quel est l'un des avantages de la croissance épitaxiale du …Elle se distingue de l'autodopage, qui passe par la phase gazeuse.
Lors de la croissance à haute température d'une couche épit…MOSFET de puissance Résistance à l'état passant (RDS(on)) Via Croissance épitaxiale 4H-SiC Croissance épitaxiale latérale (ELO) Croissance par avancée de marches (step-flow) Désaccord de maille Dislocation de désaccord (misfit dislocation) Dislocation traversante