Lors de la croissance à haute température d'une couche épitaxiale faiblement dopée sur un substrat fortement dopé, comment appelle-t-on le phénomène par lequel les dopants du substrat migrent par diffusion à l'état solide vers la couche épitaxiale, adoucissant la transition de concentration à l'interface ?

Réponse : C. Exodiffusion (out-diffusion)

Sous l'effet des hautes températures de l'épitaxie et des traitements thermiques ultérieurs, les dopants du substrat fortement dopé diffusent à l'état solide dans la couche épitaxiale, et la transition de concentration à la frontière substrat/couche s'adoucit. C'est l'exodiffusion ; elle réduit l'épaisseur effective de la couche faiblement dopée et, dans les composants de puissance, entraîne une baisse de la tenue en tension. On la prévient en utilisant pour le substrat de l'arsenic ou de l'antimoine, qui diffusent lentement, et en limitant le budget thermique. Elle se distingue de l'autodopage, qui passe par la phase gazeuse.