Mode de croissance où le cristal s'étend latéralement à partir des marches atomiques d'un substrat légèrement désorienté. Utilisé pour le SiC afin de reproduire le polytype du substrat.
Nom japonais: ステップフロー成長
« Croissance par avancée de marches (step-flow) » apparaît dans 1 questions d'entraînement réparties sur 1 thèmes, dont Croissance épitaxiale.
Domaine: Croissance épitaxiale
Réponse : A. Pour faire croître latéralement à partir des marches atomiques de surface (croissance par avancée de marches) et reproduire le même polytype que le substrat
Le SiC présente de nombreux polytypes différant par le mode d'empilement des atomes, et une croissance sur surface plane favorise l'inclusion d'autres polytypes (3C-SiC, etc.). Un substrat désorienté d'environ 4° présente de nombreuses marches atomiques en surface ; les espèces s'incorporent aux marches et la croissance progresse latéralement (croissance par avancée de marches), ce qui donne un cristal reproduisant l'empilement 4H-SiC du substrat.
Un substrat désorienté d'environ 4° présente de nombreuses marches atomiques en surface ; les espèces s'incorporent aux marches et la croissance progresse latéralement (croissance par avancée de marches), ce qui donne un cristal reproduisant l'empilement 4H-SiC du substrat.
Pourquoi utilise-t-on en épitaxie du SiC un substrat inclin…SiC (carbure de silicium) 4H-SiC Autodopage Croissance épitaxiale Croissance épitaxiale latérale (ELO) Désaccord de maille Dislocation de désaccord (misfit dislocation) Dislocation traversante Épaisseur critique Épitaxie sélective