Qu'est-ce que Dislocation traversante ?

Dislocation qui traverse la couche épitaxiée jusqu'à la surface. Dans le GaN sur saphir ou sur silicium, sa densité est élevée (environ 10⁸ à 10⁹ cm⁻²) et dégrade les caractéristiques et la fiabilité des composants.

Nom japonais: 貫通転位

Domaine: Croissance épitaxiale