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Croissance épitaxiale

Comment appelle-t-on le phénomène par lequel des impuretés provenant notamment du substrat sont incorporées dans la couche en croissance via la phase gazeuse pendant l'épitaxie ?

  1. AAutodopage
  2. BGetter
  3. CÉlectromigration
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Réponse : A. Autodopage

L'autodopage est le phénomène par lequel des dopants s'évaporent d'un substrat fortement dopé, de sa face arrière ou de ses bords, et sont incorporés via le gaz dans la couche en croissance. Particulièrement important en début de croissance, il fait dévier la concentration de la couche épitaxiale de la valeur visée ou adoucit la transition de concentration à l'interface. Les remèdes sont le recouvrement de la face arrière par un oxyde ou du polysilicium, la croissance à basse pression ou une purge des dopants par gaz avant la croissance.

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