Polytype de SiC principalement utilisé pour les composants de puissance. Sa bande interdite est large, d'environ 3,3 eV, et la mobilité des électrons est relativement élevée.
Nom japonais: 4H-SiC
« 4H-SiC » apparaît dans 2 questions d'entraînement réparties sur 1 thèmes, dont Croissance épitaxiale.
Domaine: Croissance épitaxiale
Réponse : A. Pour faire croître latéralement à partir des marches atomiques de surface (croissance par avancée de marches) et reproduire le même polytype que le substrat
Le SiC présente de nombreux polytypes différant par le mode d'empilement des atomes, et une croissance sur surface plane favorise l'inclusion d'autres polytypes (3C-SiC, etc.). Un substrat désorienté d'environ 4° présente de nombreuses marches atomiques en surface ; les espèces s'incorporent aux marches et la croissance progresse latéralement (croissance par avancée de marches), ce qui donne un cristal reproduisant l'empilement 4H-SiC du substrat.
Réponse : A. 4H-SiC
Le SiC compte plus de 200 polytypes, mais les composants de puissance utilisent principalement le 4H-SiC, en raison de sa large bande interdite (environ 3,26 eV), de sa mobilité électronique élevée (environ 1000 cm²/V·s) et de sa faible anisotropie. Le 6H-SiC présente une forte anisotropie de mobilité et le 3C-SiC une bande interdite plus faible (environ 2,4 eV). La maturité des technologies de substrats de qualité et de croissance épitaxiale en est une autre raison.
Un substrat désorienté d'environ 4° présente de nombreuses marches atomiques en surface ; les espèces s'incorporent aux marches et la croissance progresse latéralement (croissance par avancée de marches), ce qui donne un cristal reproduisant l'empilement 4H-SiC du substrat.
Pourquoi utilise-t-on en épitaxie du SiC un substrat inclin…Le SiC compte plus de 200 polytypes, mais les composants de puissance utilisent principalement le 4H-SiC, en raison de sa large bande interdite (environ 3,26 eV), de sa mobilité électronique élevée (environ 1000 cm²/V·s) et de sa faible anisotropie.
Quel polytype est principalement utilisé pour les composant…SiC (carbure de silicium) Croissance par avancée de marches (step-flow) Bande interdite (bandgap) Mobilité Croissance épitaxiale Autodopage Croissance épitaxiale latérale (ELO) Désaccord de maille Dislocation de désaccord (misfit dislocation) Dislocation traversante