Verschijnsel waarbij tijdens epitaxiale groei doteringsatomen uit onder meer het substraat via de gasfase in de groeiende laag terechtkomen. Een probleem bij het laten groeien van een laag met lage concentratie op een sterk gedoteerd substraat.
Japanse benaming: オートドーピング
“Autodoping” komt voor in 1 oefenvragen uit 1 onderwerpen, bijv. Siliciumwafers.
Vakgebied: Epitaxiale groei
Antwoord: C. Substraat waarop een epitaxiale laag met lage concentratie wordt gegroeid, en substraat aan de drainzijde van verticale vermogenscomponenten
N⁺-wafers met een hoge concentratie en lage soortelijke weerstand (circa 0,001 tot 0,01 Ω·cm) worden gebruikt als substraat van epiwafers waarop een epitaxiale laag met lage concentratie is gegroeid. Bij verticale vermogens-MOSFET's en diodes vloeit de stroom verticaal door het substraat, zodat een lage substraatweerstand de aan-weerstand verlaagt. Vanwege de eigenschappen op het gebied van segregatie en verdamping worden arseen, antimoon en fosfor naar behoefte gekozen, en het onderdrukken van uitdiffusie naar de epilaag (autodoping) is een aandachtspunt.
Vanwege de eigenschappen op het gebied van segregatie en verdamping worden arseen, antimoon en fosfor naar behoefte gekozen, en het onderdrukken van uitdiffusie naar de epilaag (autodoping) is een aandachtspunt.
Wat is het juiste hoofdgebruik van n⁺-siliciumwafers met la…Vermogens-MOSFET (power MOSFET) Aan-weerstand (on-resistance) 4H-SiC Epitaxiale groei Gespannen silicium (strained silicon) Heteroepitaxie HVPE (hydride-dampfase-epitaxie) Kritische laagdikte Laterale epitaxiale overgroei (ELO) MBE (molecular beam epitaxy)