Quel est l'un des avantages de la croissance épitaxiale du silicium à basse pression ?

Réponse : A. L'autodopage est plus facile à limiter

À basse pression (quelques kPa à quelques dizaines de kPa), la diffusion des gaz est plus rapide et les dopants évaporés du substrat stagnent moins dans la couche limite proche de la surface de croissance, ce qui limite l'autodopage. La couche limite s'épaississant et les gaz se répartissant uniformément, l'uniformité d'épaisseur tend aussi à s'améliorer et la croissance sélective est facilitée. En revanche, la vitesse de croissance tend à être inférieure à celle à pression atmosphérique ; le choix dépend donc de l'application.